本英文文章重点介绍如何使用IsoVu差分探头测量宽带隙半导体（Wide Bandgap Semiconductors）的栅极和源极间之间的高极电压（Vgs）。测量重点描述是一个带高极和低极开关的eGaN FETs半桥结构。而且本文重点讲述高边栅极的测量，也检测低边栅极。

文中主要讲述下列状态事件的测量： 1、高边栅极开；2、高边栅极关/低边栅极开。

总之，像进行高边栅极电压精确测量是比较困难的，此时，您需要一个结合高带宽、高共模电压和高共模抑制为一起的测量系统。由于泰克IsoVu差分探头系统完全电隔离，且提供1GHz带宽、2000V共模电压和100万:1（120dB）的共模抑制比，这些特性使这些测量不再困难。

全文介绍请下载：Measuring Vgs on Wide Bandgap Semiconductors

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