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半导体分立器件的概述以及测试方案

时间:2018-05-25
 

   概述:

  半导体分立器件是组成集成电路的基础,包含大量的双端口或三端口器件,如二极管,晶体管,场效应管等。 直流丨-v测试则是表征微电子器件、工艺及材料特性的基石。通常使用丨-v特性分析,或I-V曲线,来决定器件的基本参数。微电子器件种类繁多,引脚数量 和待测参数各不相同,除此以外,新材料和新器件对测试设备提出了更高的要求,要求测试设备具备更高的低电流测试能力,且能够支持各种功率范围的器件。
  半导体分立器件I-V特性测试的主要目的是通过实验,帮助 工程师提取半导体器件的基本丨-V特性参数,并在整 个工艺流程结束后评估器件的优劣。

   随着器件几何尺寸的减小,半导体器件特性测试对测 试系统的要求越来越高。通常这些器件的接触电极尺寸只有微米置级,这些对低噪声源表,探针台和显微镜性能都提出了更高的要求。
  溪谷科技开发的半导体分立器件丨-v特性测试方案,以美国吉时利公司开发的离精度源测量单元(SMU )为核心测试设备,配备使用简便炅活,功能丰富的 CycleStar测试软件,及稍准稳定的探针台,为客户 提供了可靠易用的解决方案,极大的提离了用户的工作效率。
  半导体分立器件测试方案特点
  •丰富的内置元器件库,可以根据测试要求选择所需 要的待测件类型
  •测试和计算过程由软件自动执行,能够显示数据和 曲线,节省了大量的时间
  •精准稳定的探针台,针座分辨率可高达0.7um,显 微镜放大倍数最高可达X195倍 
  •最高支持同时操作两台吉时利源表,可以完成三端 口器件测试
  测试材料
  •二极管特性的测置与分析
 •双极型晶体管BJT特性的测量与分析
 •MOSFET场效应晶体管特性的测最与分析
 •MOS器件的参数提取

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